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IXFT80N65X2HV
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- 制造商编号：
- IXFT80N65X2HV
- 制造商：
- IXYS艾赛斯
- 系列：
- HiPerFET™, Ultra X2
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 80A TO268HV
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 650 V 80A（Tc） 890W（Tc） TO-268HV（IXFT）
- 规格说明书：
- IXFT80N65X2HV说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | IXYS(艾赛斯) |
| 系列 | HiPerFET™, Ultra X2 |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 80A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 4mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 140 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8300 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 890W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-268HV（IXFT） |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
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- 标准包装
- 30 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥103.843709 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥150.384029 | ￥150.38 |
| 10+ | ￥138.215294 | ￥1382.15 |
| 100+ | ￥116.73481 | ￥11673.48 |
| 500+ | ￥103.843709 | ￥51921.85 |
