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STGP30M65DF2
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- STGP30M65DF2
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- -
- 描述：
- IGBT 650V 30A TO-220AB
- 详细描述：
- IGBT 沟槽型场截止 650 V 60 A 258 W 通孔 TO-220
- 规格说明书：
- STGP30M65DF2说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 120 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，30A |
| 功率 - 最大值 | 258 W |
| 开关能量 | 300µJ（开），960µJ（关） |
| 输入类型 | 标准 |
| 栅极电荷 | 80 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 31.6ns/115ns |
| 测试条件 | 400V，30A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr) | 140 ns |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 标准包装 | 50 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 咨询客服
- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.433353 | ￥26.43 |
| 10+ | ￥23.731885 | ￥237.32 |
| 100+ | ￥19.442022 | ￥1944.20 |
| 500+ | ￥16.550676 | ￥8275.34 |
| 1000+ | ￥16.460331 | ￥16460.33 |
