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STGP30H60DF

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制造商编号:
STGP30H60DF
制造商:
ST意法半导体
系列:
-
描述:
IGBT 600V 60A 260W TO220
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 260 W 通孔 TO-220
规格说明书:
STGP30H60DF说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.4V @ 15V,30A
功率 - 最大值 260 W
开关能量 350µJ(开),400µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 105 nC
25°C 时 Td(开/关)值 50ns/160ns
测试条件 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 110 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220
标准包装 50

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
IGP30N60H3XKSA1 Infineon Technologies ¥24.42000 类似

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标准包装
50 / PCS
包装
管件
单价:¥17.954896 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥28.833449 ¥28.83
10+ ¥25.886693 ¥258.87
100+ ¥21.207319 ¥2120.73
500+ ¥18.053444 ¥9026.72
1000+ ¥17.954896 ¥17954.90

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