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VQ1001P-E3
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- 制造商编号：
- VQ1001P-E3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 4 个 N 通道 30V 830mA 2W 通孔 14-DIP
- 规格说明书：
- VQ1001P-E3说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | 4 个 N 通道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 830mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.75 欧姆 @ 200mA，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 110pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | - |
| 供应商器件封装 | 14-DIP |
| 标准包装 | 25 |
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- 标准包装
- 25 / PCS
- 包装
- 管件
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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