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    PD20010TR-E

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    制造商编号：
    PD20010TR-E
    制造商：
    ST意法半导体
    系列：
    -
    描述：
    TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
    详细描述：
    RF Mosfet LDMOS 13.6 V 150 mA 2GHz 11dB 10W PowerSO-10RF（成形引线）
    规格说明书：
    PD20010TR-E说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 ST(意法半导体)
    系列 -
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 停产
    晶体管类型 LDMOS
    频率 2GHz
    增益 11dB
    电压 - 测试 13.6 V
    额定电流（安培） 5A
    噪声系数 -
    电流 - 测试 150 mA
    功率 - 输出 10W
    电压 - 额定 40 V
    封装/外壳 PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
    供应商器件封装 PowerSO-10RF（成形引线）
    标准包装 600

    替代产品

    型号 品牌 参考价格 说明
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    BLS9G2729L-350U Ampleon USA Inc. ¥1,791.20000 类似

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    货期
    咨询客服
    标准包装
    600 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    单价：￥0 总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
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