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FDP16AN08A0
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- 制造商编号：
- FDP16AN08A0
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- PowerTrench®
- 描述：
- MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 75 V 9A（Ta），58A（Tc） 135W（Tc） TO-220-3
- 规格说明书：
- FDP16AN08A0说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 75 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Ta），58A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 毫欧 @ 58A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1857 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 135W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IRFZ14PBF | Vishay Siliconix | ¥10.37000 | 类似 |
| STP60NF06 | STMicroelectronics | ¥14.21000 | 类似 |
| IRF3007PBF | Rochester Electronics, LLC | ¥9.44443 | 类似 |
| PHP79NQ08LT,127 | Nexperia USA Inc. | ¥14.98000 | 类似 |
| PHP29N08T,127 | Nexperia USA Inc. | ¥10.98000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥11.600185 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 800+ | ￥11.600185 | ￥9280.15 |
