SI8416DB-T2-E1
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI8416DB-T2-E1
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 8 V 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot™(1.5x1)
- 规格说明书:
- SI8416DB-T2-E1说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 8 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.2V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 23 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值) | ±5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1470 pF @ 4 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.77W(Ta),13W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 6-Micro Foot™(1.5x1) |
封装/外壳 | 6-UFBGA |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥6.474405 | ¥6.47 |
10+ | ¥5.716398 | ¥57.16 |
100+ | ¥4.384927 | ¥438.49 |
500+ | ¥3.466611 | ¥1733.31 |
1000+ | ¥2.773291 | ¥2773.29 |
3000+ | ¥2.599964 | ¥7799.89 |