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US6M2TR

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
US6M2TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V,20V 1.5A,1A 1W 表面贴装型 TUMT6
规格说明书:
US6M2TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 30V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.5A,1A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 240 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 80pF @ 10V
功率 - 最大值 1W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装 TUMT6
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.212237 ¥6.21
10+ ¥5.340244 ¥53.40
100+ ¥3.989966 ¥399.00
500+ ¥3.135231 ¥1567.62
1000+ ¥2.422681 ¥2422.68
3000+ ¥2.208912 ¥6626.74
6000+ ¥2.066407 ¥12398.44

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