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SIA778DJ-T1-GE3

Vishay photo

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制造商编号:
SIA778DJ-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 12V,20V 4.5A,1.5A 6.5W,5W 表面贴装型 PowerPAK® SC-70-6 双
规格说明书:
SIA778DJ-T1-GE3说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 12V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.5A,1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 29 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15nC @ 8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 500pF @ 6V
功率 - 最大值 6.5W,5W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 PowerPAK® SC-70-6 双
供应商器件封装 PowerPAK® SC-70-6 双
标准包装 3,000

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型号 品牌 参考价格 说明
SIA910EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix ¥4.76000 类似

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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.004888 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥3.431665 ¥3.43
10+ ¥2.64462 ¥26.45
100+ ¥2.190546 ¥219.05
500+ ¥2.004888 ¥1002.44

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