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IPD60R280PFD7SAUMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IPD60R280PFD7SAUMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolMOS™PFD7
描述:
MOSFET N-CH 650V 12A TO252-3
详细描述:
表面贴装型 N 通道 650 V 12A(Tc) 51W(Tc) PG-TO252-3-344
规格说明书:
IPD60R280PFD7SAUMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolMOS™PFD7
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 280 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 15.3 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 656 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 51W(Tc)
工作温度 -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO252-3-344
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥15.844054 ¥15.84
10+ ¥14.190117 ¥141.90
100+ ¥11.060745 ¥1106.07
500+ ¥9.137323 ¥4568.66
1000+ ¥8.015233 ¥8015.23
2500+ ¥8.015233 ¥20038.08

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