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IXFR20N100P

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制造商编号:
IXFR20N100P
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
HiPerFET™, Polar
描述:
MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247
详细描述:
通孔 N 通道 1000 V 11A(Tc) 230W(Tc) ISOPLUS247™
规格说明书:
IXFR20N100P说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 HiPerFET™, Polar
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 640 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 6.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 126 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 7300 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 230W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 ISOPLUS247™
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30

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标准包装
30 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
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