在线客服 
FDB12N50FTM-WS
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- FDB12N50FTM-WS
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- UniFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 500 V 11.5A（Tc） 165W（Tc） D²PAK（TO-263）
- 规格说明书：
- FDB12N50FTM-WS说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | UniFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 最后售卖 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1395 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 165W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D²PAK（TO-263） |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDB20N50F | onsemi | ¥27.72000 | MFR Recommended |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥11.693996 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥19.669908 | ￥19.67 |
| 10+ | ￥17.712864 | ￥177.13 |
| 800+ | ￥11.693996 | ￥9355.20 |
