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CSD13306W
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- 制造商编号：
- CSD13306W
- 制造商：
- TI德州仪器
- 系列：
- NexFET™
- 描述：
- MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 12 V 3.5A（Ta） 1.9W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
- 规格说明书：
- CSD13306W说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | TI(德州仪器) |
| 系列 | NexFET™ |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10.2m옴 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.2 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1370 pF @ 6 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 6-DSBGA（1x1.5） |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA，DSBGA |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| PMCM6501VNEZ | Nexperia USA Inc. | ¥4.76000 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥4.901398 | ￥4.90 |
| 10+ | ￥4.227741 | ￥42.28 |
| 100+ | ￥3.155018 | ￥315.50 |
| 500+ | ￥2.478626 | ￥1239.31 |
| 1000+ | ￥1.915307 | ￥1915.31 |
| 3000+ | ￥1.792396 | ￥5377.19 |
