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TSM4ND65CI
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- 制造商编号：
- TSM4ND65CI
- 系列：
- -
- 描述：
- MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 650 V 4A（Tc） 41.6W（Tc） ITO-220
- 规格说明书：
- TSM4ND65CI说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.6 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 596 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 41.6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | ITO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 标准包装 | 50 |
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- 标准包装
- 50 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥4.680879 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥11.364283 | ￥11.36 |
| 10+ | ￥10.122169 | ￥101.22 |
| 100+ | ￥7.895068 | ￥789.51 |
| 500+ | ￥6.522104 | ￥3261.05 |
| 1000+ | ￥5.148978 | ￥5148.98 |
| 2000+ | ￥4.805687 | ￥9611.37 |
| 5000+ | ￥4.680879 | ￥23404.40 |
