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PHD77NQ03T,118

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制造商编号:
PHD77NQ03T,118
制造商:
NXP恩智浦
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 25 V 75A(Tc) 107W(Tc) DPAK
规格说明书:
PHD77NQ03T,118说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 NXP(恩智浦)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 9.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 17.1 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 860 pF @ 12 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 107W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装 2,500

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型号 品牌 参考价格 说明
IRLR8259TRPBF Infineon Technologies ¥8.22000 类似

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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
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