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FQPF630

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制造商编号:
FQPF630
制造商:
ON安森美
系列:
QFET®
描述:
MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F
详细描述:
通孔 N 通道 200 V 6.3A(Tc) 38W(Tc) TO-220F-3
规格说明书:
FQPF630说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 QFET®
包装 管件
零件状态 最后售卖
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 400 毫欧 @ 3.15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 25 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 550 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 38W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220F-3
封装/外壳 TO-220-3 整包
标准包装 1,000

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型号 品牌 参考价格 说明
FQPF10N20C onsemi ¥10.29000 MFR Recommended

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标准包装
1,000 / PCS
包装
管件
单价:¥7.131809 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥14.795948 ¥14.80
10+ ¥13.224345 ¥132.24
100+ ¥10.310538 ¥1031.05
500+ ¥8.517493 ¥4258.75
1000+ ¥7.131809 ¥7131.81

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