SI4477DY-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI4477DY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
- 详细描述:
- 表面贴装型 P 通道 20 V 26.6A(Tc) 3W(Ta),6.6W(Tc) 8-SOIC
- 规格说明书:
- SI4477DY-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | P 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26.6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6.2 毫欧 @ 18A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 190 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4600 pF @ 10 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 3W(Ta),6.6W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥13.302166 | ¥13.30 |
10+ | ¥11.932054 | ¥119.32 |
100+ | ¥9.302056 | ¥930.21 |
500+ | ¥7.684321 | ¥3842.16 |
1000+ | ¥6.066574 | ¥6066.57 |
2500+ | ¥6.066574 | ¥15166.43 |