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APT60M80L2VRG
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- 制造商编号：
- APT60M80L2VRG
- 制造商：
- Microchip微芯
- 系列：
- POWER MOS V®
- 描述：
- MOSFET N-CH 600V 65A 264 MAX
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 600 V 65A（Tc） 833W（Tc） 264 MAX™ [L2]
- 规格说明书：
- APT60M80L2VRG说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Microchip(微芯) |
| 系列 | POWER MOS V® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 65A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 5mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 590 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13300 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 833W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | 264 MAX™ [L2] |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 1 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXFK64N60Q3 | IXYS | ¥292.21000 | 类似 |
| IXFB82N60Q3 | IXYS | ¥326.85000 | 类似 |
| IXFK64N60P3 | IXYS | ¥108.59000 | 类似 |
| FCH104N60 | Rochester Electronics, LLC | ¥15.42944 | 类似 |
| STW48N60M2 | STMicroelectronics | ¥61.59000 | 类似 |
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- 标准包装
- 1 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥426.963199 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 20+ | ￥426.963199 | ￥8539.26 |
