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FDFMA2P859T
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- 制造商编号：
- FDFMA2P859T
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- PowerTrench®
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 3A（Ta） 1.4W（Ta） MicroFET 2x2 薄型
- 规格说明书：
- FDFMA2P859T说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 120 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 435 pF @ 10 V |
| FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | MicroFET 2x2 薄型 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
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| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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