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IRFH3707TRPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRFH3707TRPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 12A（Ta），29A（Tc） 2.8W（Ta） 8-PQFN（3x3）
- 规格说明书：
- IRFH3707TRPBF说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Ta），29A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12.4 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.1 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 755 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.8W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（3x3） |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 标准包装 | 4,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| STL11N3LLH6 | STMicroelectronics | ¥12.06000 | 类似 |
| RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | ¥8.37000 | 类似 |
| RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.07000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 4,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥2.192349 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥5.731876 | ￥5.73 |
| 10+ | ￥4.936127 | ￥49.36 |
| 100+ | ￥3.682823 | ￥368.28 |
| 500+ | ￥2.893963 | ￥1446.98 |
| 1000+ | ￥2.236178 | ￥2236.18 |
| 2000+ | ￥2.192349 | ￥4384.70 |
| 4000+ | ￥2.192349 | ￥8769.40 |
