PHB11N06LT,118
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- PHB11N06LT,118
- 制造商:
- NXP恩智浦
- 系列:
- TrenchMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 55 V 10.3A(Tc) 33W(Tc) D2PAK
- 规格说明书:
- PHB11N06LT,118说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | NXP(恩智浦) |
系列 | TrenchMOS™ |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 55 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.3A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 130 毫欧 @ 5.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5.2 nC @ 5 V |
Vgs(最大值) | ±15V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 330 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 33W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | D2PAK |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IRFZ24SPBF | Vishay Siliconix | ¥19.97000 | 类似 |
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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