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SUD50P10-43L-GE3
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- 制造商编号：
- SUD50P10-43L-GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 100 V 37.1A（Tc） 8.3W（Ta），136W（Tc） TO-252
- 规格说明书：
- SUD50P10-43L-GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 37.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 43 毫欧 @ 9.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 160 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4600 pF @ 50 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 8.3W（Ta），136W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 2,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥13.504237 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥26.545672 | ￥26.55 |
| 10+ | ￥23.853804 | ￥238.54 |
| 100+ | ￥19.176171 | ￥1917.62 |
| 500+ | ￥15.754974 | ￥7877.49 |
| 1000+ | ￥13.504287 | ￥13504.29 |
| 2000+ | ￥13.504237 | ￥27008.47 |
