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IGLD60R190D1AUMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IGLD60R190D1AUMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
CoolGaN™
描述:
MOSFET N-CH 600V 10A LSON-8
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 10A(Tc) 62.5W(Tc) PG-LSON-8-1
规格说明书:
IGLD60R190D1AUMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 CoolGaN™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1,6V @ 960µA
Vgs(最大值) -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 157 pF @ 400 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 62.5W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-LSON-8-1
封装/外壳 8-LDFN 裸焊盘
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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