SI4947ADY-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SI4947ADY-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET®
- 描述:
- MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 3A 1.2W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书:
- SI4947ADY-T1-GE3说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | 2 个 P 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 80 毫欧 @ 3.9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | - |
功率 - 最大值 | 1.2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
标准包装 | 2,500 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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NTMD3P03R2G | onsemi | ¥9.22000 | 类似 |
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- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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