FDMC8878
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- 制造商编号:
- FDMC8878
- 制造商:
- ON安森美
- 系列:
- PowerTrench®
- 描述:
- MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 30 V 9.6A(Ta),16.5A(Tc) 2.1W(Ta),31W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
- 规格说明书:
- FDMC8878说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | ON(安森美) |
系列 | PowerTrench® |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.6A(Ta),16.5A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 14 毫欧 @ 9.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 26 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1230 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta),31W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 8-MLP(3.3x3.3) |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
标准包装 | 3,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
RQ3E100MNTB1 | Rohm Semiconductor | ¥8.37000 | 类似 |
RQ3E080BNTB | Rohm Semiconductor | ¥4.07000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥6.623823 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥13.751528 | ¥13.75 |
10+ | ¥12.279394 | ¥122.79 |
100+ | ¥9.576211 | ¥957.62 |
500+ | ¥7.910784 | ¥3955.39 |
1000+ | ¥6.623823 | ¥6623.82 |
3000+ | ¥6.623823 | ¥19871.47 |