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GWM120-0075P3-SL

IXYS photo

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制造商编号:
GWM120-0075P3-SL
制造商:
IXYS艾赛斯
系列:
-
描述:
MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS
详细描述:
MOSFET - 阵列 6 N-沟道(3 相桥) 75V 118A - 表面贴装型 ISOPLUS-DIL™
规格说明书:
GWM120-0075P3-SL说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 IXYS(艾赛斯)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 75V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 118A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 5.5 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 100nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 -
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 17-SMD,扁平引线
供应商器件封装 ISOPLUS-DIL™
标准包装 36

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库存
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标准包装
36 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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