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LL4006G L0

Taiwan Semiconductor photo

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制造商编号:
LL4006G L0
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
DIODE GEN PURP 800V 1A MELF
详细描述:
二极管 标准 800 V 1A 表面贴装型 MELF
规格说明书:
LL4006G L0说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
二极管类型 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) 800 V
电流 - 平均整流 (Io) 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 1.1 V @ 1 A
速度 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 5 µA @ 800 V
不同 Vr、F 时电容 15pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 DO-213AB,MELF
供应商器件封装 MELF
工作温度 - 结 -65°C ~ 150°C
标准包装 5,000

替代产品

型号 品牌 参考价格 说明
BYM11-800-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.53000 类似
1N6483-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.69000 类似

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货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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