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SIGC109T120R3LEX1SA2

Infineon photo

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制造商编号:
SIGC109T120R3LEX1SA2
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
-
描述:
IGBT 1200V 100A DIE
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 1200 V 表面贴装型 模具
规格说明书:
SIGC109T120R3LEX1SA2说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 -
包装 散装
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 1200 V
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,100A
开关能量 -
输入类型 标准
25°C 时 Td(开/关)值 -
测试条件 -
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 模具
供应商器件封装 模具
标准包装 1

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包装
散装
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