AUIRF7343Q
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- 制造商编号:
- AUIRF7343Q
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- HEXFET®
- 描述:
- MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 55V 4.7A,3.4A 2W 表面贴装型 8-SOIC
- 规格说明书:
- AUIRF7343Q说明书
- 在线客服:
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- 服务:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | HEXFET® |
包装 | 管件 |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 55V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.7A,3.4A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 50 毫欧 @ 4.7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 740pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
标准包装 | 95 |
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- 标准包装
- 95 / PCS
- 包装
- 管件
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
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