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AUIRF7343Q

Infineon photo

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制造商编号:
AUIRF7343Q
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
详细描述:
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 55V 4.7A,3.4A 2W 表面贴装型 8-SOIC
规格说明书:
AUIRF7343Q说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 管件
零件状态 停产
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.7A,3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 740pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SOIC
标准包装 95

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标准包装
95 / PCS
包装
管件
单价:¥0 总价:¥0.00
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