S1JR2
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
系列 | - |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 在售 |
二极管类型 | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 600 V |
电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A |
速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr) | 1.5 µs |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1 µA @ 600 V |
不同 Vr、F 时电容 | 12pF @ 4V,1MHz |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | DO-214AC,SMA |
供应商器件封装 | DO-214AC(SMA) |
工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
标准包装 | 7,500 |
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- 标准包装
- 7,500 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
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