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QS6J1TR

Rohm Semiconductor photo

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请参阅产品规格

制造商编号:
QS6J1TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
系列:
-
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 20V 1.5A 1.25W 表面贴装型 TSMT6(SC-95)
规格说明书:
QS6J1TR说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Rohm Semiconductor(罗姆)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道(双)
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 215 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 3nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 270pF @ 10V
功率 - 最大值 1.25W
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装 TSMT6(SC-95)
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥2.116964 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.403289 ¥6.40
10+ ¥5.470771 ¥54.71
100+ ¥4.087785 ¥408.78
500+ ¥3.211939 ¥1605.97
1000+ ¥2.481952 ¥2481.95
3000+ ¥2.262947 ¥6788.84
6000+ ¥2.116964 ¥12701.78

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