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SI8902AEDB-T2-E1

Vishay photo

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制造商编号:
SI8902AEDB-T2-E1
制造商:
Vishay威世
系列:
TrenchFET®
描述:
N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 24V 11A 5.7W 表面贴装型 6-Micro Foot™(1.5x1)
规格说明书:
SI8902AEDB-T2-E1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Vishay(威世)
系列 TrenchFET®
包装 卷带(TR)
零件状态 在售
FET 类型 2 N-通道(双)
FET 功能 标准
漏源电压(Vdss) 24V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 28 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 5.7W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 6-UFBGA
供应商器件封装 6-Micro Foot™(1.5x1)
标准包装 3,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
3,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
6000+ ¥3.062177 ¥18373.06

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