SISF20DN-T1-GE3
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请参阅产品规格
- 制造商编号:
- SISF20DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay威世
- 系列:
- TrenchFET® Gen IV
- 描述:
- MOSFET DL N-CH 60V PPK 1212-8SCD
- 详细描述:
- MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 60V 14A(Ta),52A(Tc) 5.2W(Ta),69.4W(Tc) 表面贴装型 PowerPAK® 1212-8SCD
- 规格说明书:
- SISF20DN-T1-GE3说明书
- 在线客服:
- 咨询客服
- 服务:
- 为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。
规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Vishay(威世) |
系列 | TrenchFET® Gen IV |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | 2 N-通道(双) |
FET 功能 | 标准 |
漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A(Ta),52A(Tc) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 13 毫欧 @ 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 33nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1290pF @ 30V |
功率 - 最大值 | 5.2W(Ta),69.4W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8SCD |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8SCD |
标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥14.624404 | ¥14.62 |
10+ | ¥13.131187 | ¥131.31 |
100+ | ¥10.553052 | ¥1055.31 |
500+ | ¥8.670208 | ¥4335.10 |
1000+ | ¥7.431511 | ¥7431.51 |
3000+ | ¥7.431568 | ¥22294.70 |