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STL6N3LLH6
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- 制造商编号：
- STL6N3LLH6
- 制造商：
- ST意法半导体
- 系列：
- DeepGATE™, STripFET™ VI
- 描述：
- MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 30 V 13A（Tc） 2.4W（Tc） PowerFlat™（2x2）
- 规格说明书：
- STL6N3LLH6说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ST(意法半导体) |
| 系列 | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 25 毫欧 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 3.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 283 pF @ 24 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 2.4W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™（2x2） |
| 封装/外壳 | 6-PowerWDFN |
| 标准包装 | 3,000 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| NTLUS4930NTBG | onsemi | ¥2.23153 | 类似 |
| NTLUS4930NTAG | onsemi | ¥2.23153 | 类似 |
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- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥4.067207 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 3000+ | ￥4.067207 | ￥12201.62 |
