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    PMV213SN,215

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    制造商编号：
    PMV213SN,215
    制造商：
    Nexperia安世
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
    详细描述：
    表面贴装型 N 通道 100 V 1.9A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB
    规格说明书：
    PMV213SN,215说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 Nexperia(安世)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR） 剪切带（CT）
    零件状态 在售
    FET 类型 N 通道
    技术 MOSFET（金属氧化物）
    漏源电压（Vdss） 100 V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1.9A（Tc）
    驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 250 毫欧 @ 500mA，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 7 nC @ 10 V
    Vgs（最大值） ±30V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 330 pF @ 20 V
    FET 功能 -
    功率耗散（最大值） 280mW（Tj）
    工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    供应商器件封装 TO-236AB
    封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
    标准包装 3,000

    价格库存

    库存
    0
    货期
    咨询客服
    标准包装
    3,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
    总价：￥0.00
    阶梯 单价(含税价) 总价
    1+ ￥4.992587 ￥4.99
    10+ ￥4.289293 ￥42.89
    100+ ￥3.203007 ￥320.30
    500+ ￥2.516697 ￥1258.35
    1000+ ￥1.944727 ￥1944.73
    3000+ ￥1.773098 ￥5319.29
    6000+ ￥1.715911 ￥10295.47

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