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SQJ262EP-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQJ262EP-T1_GE3
- 制造商：
- Vishay威世
- 系列：
- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
- 描述：
- MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- 详细描述：
- MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 60V 15A（Tc），40A（Tc） 27W（Tc），48W（Tc） 表面贴装型 PowerPAK® SO-8 双通道不对称
- 规格说明书：
- SQJ262EP-T1_GE3说明书
- 在线客服：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Vishay(威世) |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Tc），40A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35.5 毫欧 @ 2A，10V，15.5 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10nC @ 10V，23nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 550pF @ 25V，1260pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 27W（Tc），48W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 双通道不对称 |
| 标准包装 | 3,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 3,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥12.435873 | ￥12.44 |
| 10+ | ￥11.135292 | ￥111.35 |
| 100+ | ￥8.682314 | ￥868.23 |
| 500+ | ￥7.172045 | ￥3586.02 |
| 1000+ | ￥5.662141 | ￥5662.14 |
| 3000+ | ￥5.662141 | ￥16986.42 |
