IPB110N20N3LFATMA1
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- 制造商编号:
- IPB110N20N3LFATMA1
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- OptiMOS™ 3
- 描述:
- MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 200 V 88A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3
- 规格说明书:
- IPB110N20N3LFATMA1说明书
- 在线客服:
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | OptiMOS™ 3 |
包装 | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态 | 在售 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 88A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 11 毫欧 @ 88A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.2V @ 260µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 76 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 650 pF @ 100 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 250W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装 | 1,000 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
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- 标准包装
- 1,000 / PCS
- 包装
- 卷带(TR)
单价:¥70.741368 总价:¥0.00
阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
---|---|---|
1+ | ¥101.022756 | ¥101.02 |
10+ | ¥91.254944 | ¥912.55 |
100+ | ¥75.551966 | ¥7555.20 |
500+ | ¥70.741368 | ¥35370.68 |
1000+ | ¥70.741368 | ¥70741.37 |