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IPB110N20N3LFATMA1

Infineon photo

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制造商编号:
IPB110N20N3LFATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
OptiMOS™ 3
描述:
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 88A(Tc) 250W(Tc) PG-TO263-3
规格说明书:
IPB110N20N3LFATMA1说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 OptiMOS™ 3
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 88A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 11 毫欧 @ 88A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4.2V @ 260µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 76 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 650 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 1,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥70.741368 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥101.022756 ¥101.02
10+ ¥91.254944 ¥912.55
100+ ¥75.551966 ¥7555.20
500+ ¥70.741368 ¥35370.68
1000+ ¥70.741368 ¥70741.37

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