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PSMN102-200Y,115

Nexperia photo

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制造商编号:
PSMN102-200Y,115
制造商:
Nexperia安世
系列:
TrenchMOS™
描述:
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
详细描述:
表面贴装型 N 通道 200 V 21.5A(Tc) 113W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
规格说明书:
PSMN102-200Y,115说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Nexperia(安世)
系列 TrenchMOS™
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 21.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 102 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1568 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 113W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳 SC-100,SOT-669
标准包装 1,500

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
1,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥13.484544 ¥13.48
10+ ¥12.089355 ¥120.89
100+ ¥9.423337 ¥942.33
500+ ¥7.784697 ¥3892.35
1500+ ¥6.14576 ¥9218.64

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