您好,欢迎来到壹方微芯!

STGF4M65DF2

ST photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
STGF4M65DF2
制造商:
ST意法半导体
系列:
M
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
详细描述:
IGBT 沟槽型场截止 650 V 8 A 23 W 通孔 TO-220FP
规格说明书:
STGF4M65DF2说明书
在线客服:
咨询客服
服务:
为用户提供价格咨询,发货售后,在线客服。

规格参数

属性 属性值
制造商 ST(意法半导体)
系列 M
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 8 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 16 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,4A
功率 - 最大值 23 W
开关能量 40µJ(开),136µJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 15.2 nC
25°C 时 Td(开/关)值 12ns/86ns
测试条件 400V,4A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 133 ns
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商器件封装 TO-220FP
标准包装 2,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,000 / PCS
包装
管件
单价:¥6.160909 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥12.321668 ¥12.32
10+ ¥11.009926 ¥110.10
100+ ¥8.583142 ¥858.31
500+ ¥7.090368 ¥3545.18
1000+ ¥6.160909 ¥6160.91

相关产品