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IRF3711STRL

Infineon photo

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制造商编号:
IRF3711STRL
制造商:
Infineon英飞凌
系列:
HEXFET®
描述:
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
详细描述:
表面贴装型 N 通道 20 V 110A(Tc) 3.1W(Ta),120W(Tc) D2PAK
规格说明书:
IRF3711STRL说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Infineon(英飞凌)
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR)
零件状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 44 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2980 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 3.1W(Ta),120W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装 800

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
800 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥0 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
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