在线客服 
IPD80R1K0CEATMA1
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPD80R1K0CEATMA1
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- CoolMOS™ CE
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
- 详细描述：
- 表面贴装型 N 通道 800 V 5.7A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
- 规格说明书：
- IPD80R1K0CEATMA1说明书
- 在线客服：
- 咨询客服
- 服务：
- 为用户提供价格咨询，发货售后，在线客服。
规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | CoolMOS™ CE |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 950 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 785 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | ¥23.35000 | 类似 |
| TK5P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | ¥13.59000 | 类似 |
价格库存
- 库存
- 0
- 货期
- 咨询客服
- 标准包装
- 2,500 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥10.698615 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.91146 | ￥18.91 |
| 10+ | ￥17.006637 | ￥170.07 |
| 100+ | ￥13.673073 | ￥1367.31 |
| 500+ | ￥11.233556 | ￥5616.78 |
| 1000+ | ￥10.698615 | ￥10698.61 |
| 2500+ | ￥10.698615 | ￥26746.54 |
