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    PHN210,118

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    制造商编号：
    PHN210,118
    制造商：
    NXP恩智浦
    系列：
    TrenchMOS™
    描述：
    MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
    详细描述：
    MOSFET - 阵列 2 N-通道（双） 30V - 2W 表面贴装型 8-SO
    规格说明书：
    PHN210,118说明书
    在线客服：
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    规格参数

    属性 属性值
    制造商 NXP(恩智浦)
    系列 TrenchMOS™
    包装 卷带（TR）
    零件状态 停产
    FET 类型 2 N-通道（双）
    FET 功能 逻辑电平门
    漏源电压（Vdss） 30V
    25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) -
    不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 100 毫欧 @ 2.2A，10V
    不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 1mA
    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6nC @ 10V
    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 250pF @ 20V
    功率 - 最大值 2W
    工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
    安装类型 表面贴装型
    封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
    供应商器件封装 8-SO
    标准包装 10,000

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    型号 品牌 参考价格 说明
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    标准包装
    10,000 / PCS
    包装
    卷带（TR）
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    阶梯 单价(含税价) 总价
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