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EFC2K102NUZTDG

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制造商编号:
EFC2K102NUZTDG
制造商:
ON安森美
系列:
-
描述:
DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 12V,
详细描述:
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)共漏 12V 33A(Ta) 3.1W(Ta) 表面贴装型 10-WLCSP(2.98x1.49)
规格说明书:
EFC2K102NUZTDG说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 ON(安森美)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 2 N 沟道(双)共漏
FET 功能 逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源电压(Vdss) 12V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 33A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 2.65 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 3.8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) -
功率 - 最大值 3.1W(Ta)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 10-SMD,无引线
供应商器件封装 10-WLCSP(2.98x1.49)
标准包装 5,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
5,000 / PCS
包装
卷带(TR)
单价:¥4.441507 总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥9.163541 ¥9.16
10+ ¥8.24097 ¥82.41
100+ ¥6.421442 ¥642.14
500+ ¥5.30441 ¥2652.20
1000+ ¥4.441507 ¥4441.51
5000+ ¥4.441507 ¥22207.53

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