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LND150N3-G-P003

Microchip photo

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制造商编号:
LND150N3-G-P003
制造商:
Microchip微芯
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详细描述:
通孔 N 通道 500 V 30mA(Tj) 740mW(Ta) TO-92-3
规格说明书:
LND150N3-G-P003说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Microchip(微芯)
系列 -
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 30mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 1000 欧姆 @ 500µA,0V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 10 pF @ 25 V
FET 功能 耗尽模式
功率耗散(最大值) 740mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92-3
封装/外壳 TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
标准包装 2,000

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,000 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥6.132447 ¥6.13
25+ ¥5.007177 ¥125.18
100+ ¥4.718222 ¥471.82
2000+ ¥4.718257 ¥9436.51

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