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FQAF13N80
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- 制造商编号：
- FQAF13N80
- 制造商：
- ON安森美
- 系列：
- QFET®
- 描述：
- MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
- 详细描述：
- 通孔 N 通道 800 V 8A（Tc） 120W（Tc） TO-3PF
- 规格说明书：
- FQAF13N80说明书
- 在线客服：
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- 服务：
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | ON(安森美) |
| 系列 | QFET® |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 88 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3500 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 120W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 标准包装 | 360 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| IXTH13N80 | IXYS | ¥94.08000 | 类似 |
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- 标准包装
- 360 / PCS
- 包装
- 管件
单价：￥31.662036 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥52.705903 | ￥52.71 |
| 10+ | ￥47.370658 | ￥473.71 |
| 100+ | ￥38.808156 | ￥3880.82 |
| 500+ | ￥33.037015 | ￥16518.51 |
| 1000+ | ￥31.662036 | ￥31662.04 |
