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IRF6215STRLPBF
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请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IRF6215STRLPBF
- 制造商：
- Infineon英飞凌
- 系列：
- HEXFET®
- 描述：
- MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 150 V 13A（Tc） 3.8W（Ta），110W（Tc） D2PAK
- 规格说明书：
- IRF6215STRLPBF说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Infineon(英飞凌) |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 290 毫欧 @ 6.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 66 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 860 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），110W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
替代产品
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FQB12P20TM | onsemi | ¥16.43000 | 类似 |
价格库存
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- 标准包装
- 800 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥14.795383 | ￥14.80 |
| 10+ | ￥13.226935 | ￥132.27 |
| 100+ | ￥10.312313 | ￥1031.23 |
| 800+ | ￥8.518584 | ￥6814.87 |
| 1600+ | ￥7.472478 | ￥11955.96 |
