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TSM80N950CI C0G

Taiwan Semiconductor photo

图像仅供参考

请参阅产品规格

制造商编号:
TSM80N950CI C0G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
系列:
-
描述:
MOSFET N-CH 800V 6A ITO220AB
详细描述:
通孔 N 通道 800 V 6A(Tc) 25W(Tc) ITO-220AB
规格说明书:
TSM80N950CI C0G说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列 -
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 950 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 19.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 691 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 ITO-220AB
封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片
标准包装 2,000

价格库存

库存
0
货期
咨询客服
标准包装
2,000 / PCS
包装
管件
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
1+ ¥61.370062 ¥61.37
10+ ¥55.098553 ¥550.99
100+ ¥45.141306 ¥4514.13
500+ ¥38.427758 ¥19213.88
1000+ ¥32.408978 ¥32408.98
2000+ ¥31.567192 ¥63134.38

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