SPN01N60C3
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- 制造商编号:
- SPN01N60C3
- 制造商:
- Infineon英飞凌
- 系列:
- CoolMOS™
- 描述:
- MOSFET N-CH 650V 300MA SOT223-4
- 详细描述:
- 表面贴装型 N 通道 650 V 300mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
- 规格说明书:
- SPN01N60C3说明书
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规格参数
属性 | 属性值 |
---|---|
制造商 | Infineon(英飞凌) |
系列 | CoolMOS™ |
包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 停产 |
FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 6 欧姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 100 pF @ 25 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(最大值) | 1.8W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
标准包装 | 1,000 |
替代产品
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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STN1HNK60 | STMicroelectronics | ¥8.14000 | 类似 |
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- 卷带(TR)
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