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SSM3J66MFV,L3F
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- 制造商编号：
- SSM3J66MFV,L3F
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 系列：
- U-MOSVI
- 描述：
- MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
- 详细描述：
- 表面贴装型 P 通道 20 V 800mA（Ta） 150mW（Ta） VESM
- 规格说明书：
- SSM3J66MFV,L3F说明书
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规格参数
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 制造商 | Toshiba(东芝) |
| 系列 | U-MOSVI |
| 包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 800mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 390毫欧 @ 800mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | +6V，-8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 100 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 150mW（Ta） |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | VESM |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 标准包装 | 8,000 |
价格库存
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- 标准包装
- 8,000 / PCS
- 包装
- 卷带（TR）
单价：￥0.64284 总价：￥0.00
| 阶梯 | 单价(含税价) | 总价 |
|---|---|---|
| 8000+ | ￥0.64284 | ￥5142.72 |
