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TK10V60W,LVQ

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制造商编号:
TK10V60W,LVQ
制造商:
Toshiba东芝
系列:
DTMOSIV
描述:
MOSFET N-CH 600V 9.7A 4DFN
详细描述:
表面贴装型 N 通道 600 V 9.7A(Ta) 88.3W(Tc) 4-DFN-EP(8x8)
规格说明书:
TK10V60W,LVQ说明书
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规格参数

属性 属性值
制造商 Toshiba(东芝)
系列 DTMOSIV
包装 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 9.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 380 毫欧 @ 4.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 3.7V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 20 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 700 pF @ 300 V
FET 功能 超级结
功率耗散(最大值) 88.3W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-DFN-EP(8x8)
封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘
标准包装 2,500

价格库存

库存
0
货期
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标准包装
2,500 / PCS
包装
卷带(TR)
总价:¥0.00
阶梯 单价(含税价) 总价
2500+ ¥14.443554 ¥36108.89

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